2025年1月22日，中国功率半导体行业迎来了重要的合作消息。宏微科技与华虹宏力签署了一份为期五年的战略合作谅解备忘录，双方将共同聚焦IGBT（绝缘栅双极晶体管）和FRD（迅速恢复二极管）等核心产品的深度合作。这一合作不仅标志着两家公司在技术创新和市场拓展上的协同推进，也预示着国内功率半导体产业链的进一步完善。

  宏微科技，作为无晶圆芯片设计企业，近年来在功率芯片领域发展迅猛。公司专注于功率芯片的研发与产业化，率先在国内实现IGBT芯片的量产，大范围的应用于工业控制、新能源发电及新能源汽车等重要领域。此次与华虹宏力的合作，宏微科技将进一步利用其在1700V平台及RCIGBT平台的客户身份，推动技术的创新与工艺的优化。

  在合作框架下，宏微科技与华虹宏力致力于强化研发团队，成立联合研发项目组，专注于新工艺平台的开发和优化。这将为双方在电力电子器件领域的技术迭代提供强有力的支持。宏微科技在H注入工艺的应用与量产上已取得显著成果，成为了第一家在12英寸晶圆上采用1.6 pitch工艺的功率芯片设计销售商，明显提升了其市场竞争力。

  提升市场竞争力仅仅是双方合作的一个方面。此次合作还体现了宏微科技与华虹宏力在技术开发、市场推广上的相互协作，旨在实现“1+12”的共赢效应。这种虚拟IDM（集成设备制造）模式强调了双方在各自领域的强项与优势，充分激发了潜在的市场机会。

  在最近召开的2024华虹半导体客户代表座谈会上，宏微科技获得了“2024年度杰出贡献奖”，这也进一步凸显了公司在半导体领域的主体地位和发展的潜在能力。结合当前的半导体市场趋势，智能电网、新能源与电动汽车等行业的发展为功率芯片的需求提供了良好的基础，宏微科技与华虹宏力的合作，将助力满足这一些行业对高性能功率器件的迫切需求。

  随着微电子技术的加快速度进行发展，功率半导体行业正经历巨大的变革。慢慢的变多的企业意识到，在市场之间的竞争日益激烈的情况下，技术创新和产品优化至关重要。宏微科技和华虹宏力的此次战略合作，将为行业内别的企业树立榜样，同时也为国内功率半导体行业的发展注入新的活力。

  展望未来，智能化技术的发展也将为功率芯片的设计与制造带来新的机遇。在此背景下，宏微科技与华虹宏力通过一同承担研发风险、共享市场收益，合乎行业的发展的新趋势，将持续引领国内功率半导体产业的发展趋势，为推动中国制造业的升级贡献力量。

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