1月22日，宏微科技正式与华虹宏力签署了一份为期五年的战略合作谅解备忘录，进一步巩固了双方在功率芯片领域尤其是在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和FRD（迅速恢复二极管）等核心产品方面的合作伙伴关系。此次合作旨在通过技术创新与平台优化，增强研发能力并推动市场拓展，从而提升市场竞争力，助力国内功率半导体产业链的整体完善。

  华虹宏力近期召开的2024华虹半导体客户代表座谈会暨12英寸平台年度100万片出货庆祝活动上，宏微科技被授予“2024年度杰出贡献奖”，展现了其在功率芯片研发与产业化方面的主体地位。作为国内首次在IGBT芯片产业化领域取得突破的Fabless企业，宏微科技凭借其专注于功率芯片的研发，已经在工业控制、新能源发电及新能源汽车等多领域积累了深厚的经验。

  宏微科技是华虹宏力1700V平台及RCIGBT平台的首批客户，该公司率先引入H注入工艺并成功实现量产，成为国内首家在12英寸晶圆上采用1.6 pitch工艺的功率芯片设计销售厂商。这一技术进步不但强化了宏微科技的市场地位，也为国内功率半导体行业的发展提供了有力支持。

  在合作内容方面，宏微科技与华虹宏力联合成立了研发项目组，专注于新工艺平台的开发与优化。这种合作模式符合虚拟IDM（集成设备制造）概念，展现出H²IDM理念，即双方联手实现更大的市场效益，产生“1+12”的共赢效果。通过这种深度合作，双方致力于技术迭代与产品创新，不断的提高功率器件的性能与效率。

  近年来，随着全球对可再次生产的能源的关注和推动，功率芯片的需求也日渐增长。宏微科技的芯片、单管与模块产品在这些领域获得广泛认可，这不仅促进了市场的加快速度进行发展，也推动了国内半导体产业链的完善。可能在不久的将来，宏微科技借助这次深度合作，能够推出更多创新型产品，进一步满足市场需求。

  然而，随技术的迅速发展，挑战也随之而来。如何在保证产品性能的前提下，兼顾成本控制与生产效率，是宏微科技及其合作伙伴需要面对的重要问题。在此背景下，加强合作与技术创新尤为关键，双方一同推进的项目组也将是解决这样一些问题的一把利器。

  总结来看，宏微科技与华虹宏力的合作为国内功率半导体产业的发展注入了新的动力。如此深度的战略合作，不仅有助于双方提升市场竞争力，更为整个产业链的健康发展奠定了基础。在未来，相信这一合作将催生更多突破性技术，推动功率芯片产业驶向新的高峰。

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